【摘 要】
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随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的制造工艺.NiSi是一种具有较低电阻率,较小耗
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随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的制造工艺.NiSi是一种具有较低电阻率,较小耗硅量和较低形成温度的硅化物,因此NiSi被认为是最有可能为继TiSi<,2>,CoSi<,2>之后制备高性能CMOS自对准器件结构的新一代硅化物.论文分三个部分对NiSi反应和NiSi薄膜的特性进行了实验研究.超薄Ni膜在多种Si衬底上的固相反应特性研究;Ni/Si反应形成的肖特基接触势垒不均匀性实验研究和理论分析;Ni/Si反应形成肖特基接触Si中引进的深能级中心研究.
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