一维金属纳米线具有其他结构材料所不具备的光学和电学性能，近年来逐渐成为人们研究的热点。本文以贵金属银纳米线和半金属铋纳米线为对象，分别研究了表面等离子体激元在银纳米线表面的传输特性和铋纳米线电导随温度的变化特性。论文的主要内容如下:　　1.采用二次阳极氧化方法，在磷酸和硫酸溶液中，分别制备了孔径为200和30nm的高度有序的多孔阳极氧化铝模板;利用电化学沉积方法在孔径为200nm的多孔阳极氧化铝模板中制备了银纳米线阵列，在孔径为30nm的多孔阳极氧化铝模板中制备了铋纳米线阵列。　　2.利用波长为633nm的激光研究了表面等离子体波在直径为200nm的直线型和弯折型银纳米线的激发和传输情况。研究了表面等离子体波在不同长度的银纳米线上的传输损耗，发现银纳米线表面等离激元的强度随着传输距离的增加而减弱，通过实验数据的拟合，得到了损耗系数为0.04μm-1，这个数字与理论上得出的数据十分接近。　　3.采用变温电阻测量的方法研究了直径为30nm的单晶铋纳米线的半金属-半导体转变特性，发现其在230K时会发生半金属-半导体转变。铋纳米线的电导与温度有很强的依赖关系，在转变点前电导随着温度的增加以指数形式增加，而在转变点后电导随着温度的增加快速减小，对此给出了初步的解释。