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本文以C2H2和CHF3为源气体在微波ECR-CVD系统中沉积了a-C∶F薄膜，并在500°C真空气氛下进行了热处理。重点研究了沉积温度对薄膜性质的影响。分析了薄膜的化学键和结合态随沉积温度的变化情况，测量了薄膜的透光谱，进而计算了光学带隙，考察了沉积温度对薄膜介电性质的影响。结果表明，提高沉积温度有助于薄膜的热稳定性。薄膜主要是由CFx链状及不饱和C=C键组成；CFx基团的浓度在高温下减小；CFx吸收峰的峰位在较高温度下稍微向低波数方向偏移。薄膜C=C键含量与光学带隙之间存在着密切的关联；较低温度下沉积的薄膜具有较低的介电常数；薄膜漏电流的大小与薄膜中的的SP2碳含量有关，室温下沉积的膜，因富含高负电性的氟原子，其能隙值较大，电子跃迁几率较小，因而其漏电流较低。