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采用传统固相反应法以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛为原料,在1080℃首先合成了(Ba0.992-xSrxNd0.008)TiO3.004粉体,然后加入氧化锑、氧化镁和二氧化锰等掺杂剂,制备了Ba1-xSrxTiO3基陶瓷,烧成温度为1300℃~1340℃,保温2小时。本文主要研究了SrCO3的加入量、氧化锑的掺杂量、碳酸钡和二氧化钛原料纯度以及工艺条件对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷性能的影响。采用XRD测试了原料组成,在室温下,利用Automatic LCR Meter 4225测试了1kHz条件下试样的电容量C、介质损耗因数D和电阻率ρ,并测试了-20℃~+85℃范围内试样的C,得到了试样介电常数随温度的变化曲线。实验结果表明,(一)Sb2O3掺杂,Sb3+首先进入A位,引起晶格畸变,可以有效的增加体系室温时的相对介电系数,并降低介质损耗,从而改善了材料的介电性能。随Sb2O3掺杂量增加,Sb3+开始进入B位,这时虽然材料的介电性能有所下降,但其介电-温度曲线自1.6wt%组成点开始渐渐地趋于平缓。(二)随SrCO3加入量的增加,试样的介电常数、损耗均减小,电阻率会增大;介电温度高温变化率会略微减小,低温变化率则显著增大。(三)工业纯原料TiO2-B因其中的杂质影响,对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷有显著的压峰和展峰作用,其移峰作用并不明显。(四)工业纯原料BaCO3-B因其中的杂质影响,对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷有显著的移峰作用,且会产生“双峰作用”。(五)通过调配TiO2-B和BaCO3-B比例及Sb2O3的掺杂量,得到了介电常数大于4000,介质损耗为0.009,高低温变化率均小于10%的无铅介质陶瓷。(六)讨论了多种工艺条件对试样介电性能的影响,主要包括烧结温度、成型压力和一次球磨时间。