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随着新一代信息产业的迅猛发展,高新电子产品对存储器件的质量水平提出了更高的要求。以铁电场效应晶体管(FeFET)为基本单元的非挥发性铁电随机存储器,受到人们的广泛关注。薄膜晶体管(TFT)型FeFET,因其制程简单、易大面积集成,并可以实现全外延、全透式以及可应用于柔性器件等特点,备受研究者们青睐。本文首先探究了铌钕双掺杂钛酸铋BNTN铁电薄膜的制备条件;其次对铁电薄膜BNTNx中铌的最佳掺杂量进行了研究;最后,选择优良性能的BNTN0.03薄膜作为栅介质层,应用于ZnO TFT中,并研究了BNTN