本文主要介绍磁性Weyl半金属Zr_1-xNb_xCo₂Sn的单晶生长、磁性、输运性质的研究以及若干拓扑材料的单晶生长、低温输运测量。论文主要内容概括如下:1.采用Sn做助熔剂,成功生长了一系列Zr_1-xNb_xCo₂Sn单晶。EDX结果给出了晶体的成分以及各个元素比例,得出了Nb的具体掺杂量。通过单晶解析,得出了单晶Zr_0.725Nb_0.275Co₂Sn的原子位置以及占位信息,Zr原子的位置被Nb原子部分取代,占据率约为0.3,接近掺杂比例0.275,其晶体结构与母体ZrCo₂Sn保持一致。粉末XRD衍射图谱进一步表明Nb掺杂并没有改变晶体结构,空间群为Fm-3m（#225）。将得到的XRD数据进行指标化处理,求得每个比例的晶胞参数。发现随着Nb掺杂量的增加,晶胞参数逐渐减小。磁性测量结果显示,晶体属于软铁磁材料,矫顽力约为300 Oe,并且磁化强度在低场下很容易达到饱和。随着x增加,晶体的铁磁相变温度向低温区移动,铁磁性不断减弱,饱和磁矩逐渐减小。纵向电阻测量表明,Nb掺杂量的增加会使电阻率增加,同时电阻上出现的宽峰向低温区移动,这与铁磁相变温度向低温的移动相吻合,电阻由金属行为向绝缘体行为过渡。磁阻测量结果显示,该材料在50 K以下表现为正磁阻;在50 K以上表现为负磁阻,负磁阻的最大值出现在居里温度附近。对于名义掺杂量x=0.275的晶体,在低场范围出现了扭结。扭结是由材料的铁磁序引起的,随着温度的升高,扭结向高场范围移动。角磁阻测量显示,磁阻与角度关系呈现出比较弱的关联行为。霍尔电阻率的测量显示,晶体Zr_1-xNb_xCo₂Sn具有非常大的反常霍尔效应,随着Nb掺杂量增加,霍尔电阻率不断增加,这表明反常霍尔效应可能是由材料中的铁磁性引起的。2.通过助熔剂法成功生长了一系列拓扑材料单晶,例如LaBi、Na₃Bi、CuMnAs、LaSbTe、CaAgP、CaAgAs、WTe₂、Cu₂S、Bi₂Te I等;用化学气相传输法生长了磁性Weyl半金属HgCr₂Se₄、Dirac node-line半金属ZrSiS等高质量单晶样品。用PPMS测量了TiB₂单晶的输运性质,在低温下的磁阻随磁场的变化关系。发现在2 K时,当H⊥I时,出现了不饱和大磁阻,但是当磁场增加至14 T时,仍然没有观察到振荡现象;当H∥I时,磁阻出现了饱和趋势,并且MR_∥小于MR_⊥。