HAMR(热辅助磁存储)技术是未来磁记录领域发展的两大先进技术之一。这种记录方式有可能真正克服超顺磁效应对磁记录面密度的限制,使磁记录面密度达到4-5Tbit/in2,甚至更高。HAMR技术中的介质研究、微区馈热技术及介质读写性能测试系统是其实现实用化的关键技术和必备手段。本文围绕着单层非晶TbFeCo的性能优化、亚纳米微区馈热技术及混合记录介质静态写入和磁畴观测系统三大方面进行了系统的研究,得到了一些有创新意义的结论和成果。　　在实验上首先采用两步阳极氧化技术,在玻璃基底上成功制备出较高有序度的多孔阳极氧化铝(AAO)模板。系统研究了氧化电压、氧化温度、电解液浓度、退火以及扩孔等因素对氧化铝孔洞大小及有序度的影响。研究发现,氧化铝孔洞只能在一定的氧化电压、温度范围内形成,氧化电压过高和过低均不利于氧化铝孔洞的形成,孔洞大小随氧化电压的升高而增大,低温环境较易形成氧化铝孔洞。对于硫酸溶液而言,在0℃,18V左右的范围内较易形成较高有序度的氧化铝孔洞。阳极氧化前经退火工艺的处理能提高氧化铝孔洞的有序度,氧化后经过磷酸溶液的扩孔,有序度进一步提高。　　其次,进一步研究了AAO底层对溅射沉积在其上的单层非晶TbFeCo薄膜的磁性能、微观结构和磁化反转机制的影响。研究发现,TbFeCo薄膜矫顽力(Hc)和剩磁矩形比随氧化铝孔洞的增大而减小,而对饱和磁化强度和Kerr角则影响不大,同时多孔氧化铝膜的结构能够诱导非晶TbFeCo薄膜内生长出微晶柱状结构并使非晶TbFeCo薄膜的磁化反转机制发生改变,由畴壁运动反转模式转变为一致反转模式。　　在理论上通过微磁学模拟的手段研究了AAO模板上TbFeCo薄膜的磁化反转机制,模拟和实验结果比较吻合。同时采用有限元方法对探针馈热和亚纳秒脉冲馈热两种方式在磁性薄膜上所形成的温度场进行了模拟分析,模拟表明这两种馈热方法均能够形成超越激光衍射极限的微区热场。同时,探针方式所能获得的高于居里温度的区域范围可以通过探针针尖直径和激光功率进行调节。对于亚纳秒脉冲技术来说,时间上呈高斯模式的激光脉冲更有利于获得超越光学衍射范围的记录畴。　　最后通过分析相变光盘、磁光盘、光磁混合记录技术的写入原理,以偏光显微镜为基础,采用模块化方法设计了一套能适用于光盘、磁光盘和光磁混合记录介质写入的综合静态写入测试平台。