【摘 要】
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NiO(氧化镍)是一种宽禁带半导体材料,呈现p型导电性质而且它具有较好的化学、电学,光学和磁学特性,因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件,例如：紫外探测器,化学传感器
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NiO(氧化镍)是一种宽禁带半导体材料,呈现p型导电性质而且它具有较好的化学、电学,光学和磁学特性,因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件,例如：紫外探测器,化学传感器的功能层,电致变色超级电容,有机发光二极管上得到了应用。本论文首先综述了NiO薄膜的性质、应用和常用的制备方法,在制备方法中射频磁控溅射法是较为常用的一种薄膜制备技术,但是各种溅射参数对薄膜的性质有很大的影响。本文中也采用射频磁控溅射法在不同溅射电压、O2/Ar、衬底温度和靶距下制备了NiO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行研究、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计、四探针范德堡法分别对薄膜光学和电学性质进行了深入的研究。文章最后给出了实验结论。
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