双频容性耦合等离子体(Dual-Frequence Capacitively Coupled Plasmas,DF-CCPs)可以实现对轰击到基片表面的离子通量和能量单独控制,从而减缓等离子体刻蚀过程中刻蚀速率与器件损坏之间的矛盾,因此该技术广泛地应用于半导体芯片的刻蚀以及等离子体清洗等领域。本文通过DF–CCP装置产生了氮气/氧气等离子体,其中高频频率为94.92 MHz,低频频率为13.56 MHz,并讨论了氮气等离子体中电子激发温度、氮气分子的振动温度T_v和转动温度T_r随着高频功率、低频功率、气体压强的变化;还讨论了氧气等离子体中电子激发温度、电子密度随着高频功率、低频功率、气体压强的变化。第一部分工作,研究了氮气放电等离子体中电子激发温度、氮气振动温度以及转动温度随着高频(HF)功率、低频(LF)功率及气体压强等物理参数的变化情况。选择N II(391.4nm)和N III(394.3nm)谱线,采用双谱线强度法诊断了不同条件下的电子激发温度;采用发射光谱法计算氮气等离子体的振动温度T_v和转动温度T_r。利用氮气第二正带系(C~3Π_u-B~3Π_g)中372-382 nm,通过Matlab程序拟合不同放电条件下的发射光谱。为了验证计算结果的正确性,同时对388-400 nm拟合也得到了相同的结果。实验结果表明:氮气光谱强度随着低频功率和高频功率的增加均呈增加的趋势,随着气体压强的增加呈下降的趋势;而当低频功率固定不变时,随着高频功率的增加,振动温度T_v明显降低,转动温度T_r变化不大。低频功率为30 W时,电子激发温度随高频功率增大而降低;低频功率为60 W时,电子激发温度随高频功率增大而是上升。当固定低频功率为30W或60 W时,随着低频功率的增加,振动温度T_v明显降低,而转动温度T_r变化不大。电子激发温度均随着低频功率的增加而下降,当高频功率和低频功率均为30 W时,振动温度T_v先增大后减小,转动温度T_r随气体压力的增大变化不大,电子激发温度随气体压强的增大而降低。第二部分工作,研究了氧气放电等离子体中电子激发温度、电子密度随着高频(HF)功率、低频(LF)功率及气体压强等物理参数的变化情况。选择OI(777.4 nm和844.7 nm)谱线,采用双谱线强度法诊断了不同条件下的电子温度,用连续光谱的绝对强度方法诊断了不同条件下的电子密度。实验结果表明:氧气光谱强度随着低频功率和高频功率的增加均呈增加的趋势,随着气体压强的增加呈下降的趋势;电子温度随着高频功率、低频功率和放电气压的增加均呈降低趋势;电子密度随着高频功率、低频功率和放电气压的增加均呈增加趋势。本文将实验和数值模拟方法相结合,较为系统地研究了不同实验参数变化时等离子体的放电特性,为下一步推广到应用做了基础性研究,提供理论上的支持。