C、Si等离子注入GaN的物理性质

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【摘要】

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该文研究了C、Si等元素注入GaN材料的物理性质.尽管GaN材料在大功率微波器件、发光LED及场效应管等应用领域取得了长足的进展,但人们对其某些物理性质的了解至今仍然有限,特

【作者】

：

张纪才

【机构】

：

北京大学

【出处】

：

北京大学

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

GaN 迁移率载流子浓度光致发光 Raman散射 HRTEMimage

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该文研究了C、Si等元素注入GaN材料的物理性质.尽管GaN材料在大功率微波器件、发光LED及场效应管等应用领域取得了长足的进展,但人们对其某些物理性质的了解至今仍然有限,特别是由于材料中杂质缺陷的复杂性,GaN物理性质的很多问题还没有解决.我们采用低能大剂量离子注入的方法研究了C、Si等元素在GaN材料中的作用,取得了一些创新成果.

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