采用真空热蒸发法在单晶硅（[111]、[100]）、二氧化硅及玻璃衬底上分别制备纳米Ti、TiO₂薄膜，然后对薄膜进行热处理，以获得性能良好的TiO₂薄膜。采用同样方法在玻璃衬底上制备掺稀土Ce₂O₃（5at％）纳米TiO₂薄膜，研究稀土掺杂对TiO₂薄膜性能的影响。 对薄膜进行物相结构、表面形貌、光学、电学、气敏特性测试，研究分析薄膜制备工艺、不同衬底、热处理条件及稀土掺杂对TiO₂薄膜结构特性、晶粒尺寸、光学性能、气敏特性的影响。 结果显示，以TiO₂粉末（分析纯）作为蒸发源，在不同衬底（单晶硅、二氧化硅、玻璃）上生长的薄膜经500℃～800℃（氧气气氛）热处理，可获得表面平整均匀、半透明乳白色TiO₂薄膜，制备的TiO₂薄膜电阻非常高。 不同衬底对薄膜结构性能影响较大。在相同热处理条件（T=500℃，t=10min）下，玻璃基片上制备的薄膜有沿锐钛矿[200]晶向择优生长趋势，在单晶硅和二氧化硅基片上制备的薄膜则沿锐钛矿[101]晶向择优生长，薄膜的平均晶粒尺寸变小，由59.67nm减小到20.78nm。表面致密度较好，薄膜呈孔状结构，随热处理温度升高表面颗粒团聚现象明显增强。 实验给出：Ce₂O₃（5at％）掺杂可以促进晶粒的生长。在玻璃基片上沉积的TiO₂