SiC半导体材料是第三代宽禁带半导体材料。与广泛应用于微波领域的半导体材料GaAs相比SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等许多优点。随着SiC材料制造工艺的不断改进和制造成本的下降，在高温、大功率、高频、光电子、抗辐照等领域有广阔的应用前景。在微波功率器件中SiC金属半导体场效应晶体管(MESFET)更引起了人们的广泛重视。 本文采用等效电路与物理模型相结合的方法，提出了SiCMESFET器件与温度相关的大信号非线性等效电路模型，一步步从小信号到大信号分析，完成了模型中组件参数的提取与拟合。仿真得到了器件的S参数曲线和直流特性曲线，通过与实测曲线相对比验证，表明模型具有一定的准确性。并在此基础上，进行了SiCMESFET单片电路的设计仿真。 本文不仅为研究SiCMESFET的非线性微波特性、器件设计提供了参考，更为进一步设计SiCMESFETMMIC电路提供了一定的理论指导和实践途径。