【摘 要】
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该文首先对XPS测量氧化层厚度的方法进行了分析并应用AR-XPS技术研究了Cr薄膜(基底为硅)在室温条件下氧化的初始情况.通过应用椭园偏振光等技术对Cr薄膜高温氧化情况进行了研
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该文首先对XPS测量氧化层厚度的方法进行了分析并应用AR-XPS技术研究了Cr薄膜(基底为硅)在室温条件下氧化的初始情况.通过应用椭园偏振光等技术对Cr薄膜高温氧化情况进行了研究.对高温氧化的情况,假设在Cr<,2>O<,3>与Cr之间存在着一渐变层.并提出了三种渐变层模型以及对渐变层的处理方法和计算方法.即将渐变层分成数目足够多的子膜层,根据光学原理以及最优化计算方法,通过多入射角椭偏测量以及对Cr<,2>O<,3>-渐变层-Cr模型计算,证实了渐变层的存在.该文对Cr和Cr<,2>N薄膜的抗氧化性能进行了比较,得到了在600℃时,Cr抗氧化性能优于Cr<,2>N的结果.
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