铜在自然界中储量丰富,无毒,价格低廉,它有两种主要的氧化相,分别是氧化铜（CuO）和氧化亚铜（Cu₂O）;此外,铜还存在另一种氧化物,为三氧化四铜（Cu₄O₃）,它是一种亚稳态的化合物。这三种氧化物因优异的光学和电学性能在太阳能电池、锂电池及光催化等方面有良好的应用前景,是当前研究的热点材料。本文采用射频反应磁控溅射技术,高纯铜靶（99.995%）作为溅射靶材,在氩气和氧气的混合气氛下,沉积了铜氧化物薄膜。利用傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）、X射线衍射仪（XRD）、台阶仪和光纤光谱仪对制备的薄膜进行了表征。研究了氧气流量、射频功率、工作气压和沉积温度对铜氧化物薄膜的组成、结构、沉积速率和光学性能的影响。主要研究结果如下:通过改变实验参数（氧气流量、射频功率和工作气压）来调控铜氧原子比例,可以实现对单一相的CuO、Cu₂O和Cu₄O₃薄膜材料的制备;利用台阶仪测出样品的膜厚,用膜厚除以沉积时间,得出制备样品的沉积速率,发现Cu₂O和Cu₄O₃薄膜的沉积速率明显高于CuO薄膜的沉积速率;过高的氧气流量和沉积气压都会导致靶中毒的现象产生,使CuO薄膜的沉积速率明显下降。CuO、Cu₂O和Cu₄O₃的光学性能表征的结果表明,三种铜氧化物（CuO、Cu₂O和Cu₄O₃）都为直接带隙半导体。本文研究了沉积温度对多晶氧化亚铜薄膜的影响。发现沉积温度影响Cu₂O薄膜的择优取向:当温度为室温和150℃时,薄膜表现出（200）晶面择优生长,当在温度为300℃时,薄膜以（111）晶面为择优取向;光学测试表明Cu₂O薄膜的光学带隙与Cu₂O的择优取向有关,以（200）晶面为择优取向的Cu₂O薄膜,对应较低的光学带隙（约1.97 eV）;以（111）晶面为择优取向的Cu₂O薄膜,对应较高的光学带隙（约2.23 eV）。