微波低噪声放大器(LNA)广泛应用于移动通讯、无线电、蓝牙技术等的RF前端。LNA中的有源器件是整个电路的核心,对整个放大器电路的性能有着重要的影响,因此有源器件的设计是LNA的关键技术之一。由于SiGe异质结双极器件(HBT)既能像GaAs器件一样满足RF ICs对高性能要求,又可以与Si工艺兼容而具有低成本的优点,所以成为国内外研究的热点课题之一。通过对SiGe材料特性和生长技术的研究,对SiGe HBT器件结构参数的优化(尤其是基区的实现方案),对主要参数的理论核算,并结合无源器件的特点及实现工艺,完成了以SiGe HBT器件为有源器件的微波低噪声放大器单片集成电路的器件与版图设计。主要工作是:1、通过理论分析和MEDICI模拟,综合设计得出符合设计指标的结构参数,主要包括:发射区的掺杂浓度和厚度﹑基区的掺杂浓度和厚度及基区中Ge的组分比﹑集电区的掺杂浓度和厚度。2、为了解决基区杂质外扩现象,提出了两种方案:1)采用掺碳的SiGe:C基区层,能够有效消除外扩问题;2)采用未掺杂的缓冲层i-SiGe,能够有效抑制外扩现象。3、确定了各层结构的掺杂浓度和厚度后,结合主要技术指标得出了器件的结构参数,并对主要参数进行了理论核算。4、微波单片集成电路中的无源器件与普通集成电路相比有不同的特点。研究了微波单片集成电路中的无源器件的设计理论及其各自的实现工艺,完成了电路所需的无源器件的设计。5、根据SiGe HBT的结构参数,并结合无源器件,完成了低噪声放大器单片集成电路的版图设计,并提出了实现电路的工艺流程和主要关键工艺技术。重点是通过对SiGe HBT分析和研究,提出了解决基区外扩现象的两种方案,同时在工艺上应用SiGe HIT-KIT 0.35μm BiCMOS新工艺来制作平面电感、电容、电阻和有源器件。