近年来,随着多种硅基光子学器件相继研制成功和其性能的不断提高,硅基单片光电集成引起了国内外研究者的广泛重视与关注,并逐步成......

采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上......

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键......

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、170、220 nm的Si3N4薄膜,......

分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采......

报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高......

以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电......

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在P型单晶硅（111）衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、170、220nm的Si3N4薄膜，并使......

纳米技术(nano scale tech-nologh)是一门在0.1～100nm 尺度空间,研究电子,原子和分子运动规律和特性的崭新高技术学科。它的最终目......

作为一项新一半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积技术制备纳米硅薄膜的试验参......

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区，这种工艺热预算较高，使得工艺复杂程度和生产成本较高，基于此提出并设计了一种新型......

以C4F8和CH4为原料气,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜,在实验条件下所得薄膜的介电常数为2.3.薄膜的傅里......

在日前举办的SEMICONChina上，应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑......

介绍等离子体化学气相淀积（PECVD）制备减反射钝化膜。将PECVD设备运用于太阳电池生产线上，发现通过PECVD设备可以对多晶硅太阳电池有......

通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄......

采用雪崩热电子注入技术研究纳米级富氮SiOxNy薄膜界面陷阱的物理模型。评实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型......

分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了......

运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注......

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的......

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频......

以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品......

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学......

应用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备SiO2薄膜,并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频（RF）功率、基板温度、腔内......

研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制，探索......

为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效......