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多铁性材料是指的同一材料内部同时具有(反)铁电、(反)铁磁和铁弹有序中两种或两种以上有序的材料，通过不同有序度之间的交互耦合作用可以使材料具有新奇的物理特性，如磁电、磁介电特性等。多铁性材料优异的性能，以及蕴含的丰富的物理本质，使得其成为目前功能材料研究领域的一大热点。然而，目前已知的多铁性材料较少，制备同时具有铁电性和铁磁性并且在室温具有大的磁电耦合效应的材料是多铁性材料研究领域的研究目标，已有的研究报道表明，通过掺杂和制备成薄膜等手段可以提高材料的磁电耦合特性。本论文选取了目前研究较多的Bi系化合物材料以及GaFeO3材料为研究对象，研究掺杂和制备成薄膜等手段对材料性能的影响。而ZnO被誉为第三代半导体材料，其高的激子自由能(～60 meV)和宽的禁带宽度(～3.37 eV)，引起了各国科研工作者的研究兴趣，在本论文中，基于ZnO开展了LSMO/ZnO异质结光电性能的研究。主要研究成果如下：
1、用固相反应法制备了铈掺杂的BiMn2O5体材料，研究了Ce掺杂对材料BiMn2O5的晶体结构、介电性能、磁性能等的影响。研究结果表明，Ce掺杂使BiMn2O5由原来的反铁磁性转变为铁磁性；介电常数显著提高，并在磁性能消失的温度附近出现了新的介电弛豫现象，预示了材料内部自旋-晶格相互作用的存在；介电性能和磁性能的转变的根本原因在于Ce4+取代Bi3+后，使得Mn3+:Mn4+的比例发生变化，本文通过XPS对Ce掺杂的离子价态和Mn3+:Mn4+的比值的改变进行了证实。在已有RMn2O5系列材料的有关报道中，未曾有采用掺杂方法改变材料的磁性能和介电性能的报道。
2、用固相反应法制备了多铁性的GaFeO3材料，研究了其晶体结构、介电性能和磁性能，研究结果表明：GaFeO3具有正交结构，是一种亚铁磁性材料，磁转变温度为225K；介电常数.温度曲线在磁转变温度处出现突变，这反映了材料本身的磁介电耦合特性，并且通过T
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