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锰酸镧(LaMnO_3)在室温(25℃)至300℃范围内具有负阻温特性,可用于制备负温度系数热敏电阻(NTCR)。本论文通过在LaMnO_3的基础上掺杂Fe、Ni、V、Ti、Ba、Sr、Cu等进行A,B位取代,以调整材料的室温电阻率和改善材料常数B值,获得低阻值、高B值、稳定性好的新型负温度系数热敏电阻材料。并采用SEM, XRD等实验手段研究了掺杂系统组成、结构与电学性能之间的关系,深入探讨了该系列钙钛矿材料的导电机理。首先在LaMnO_3的基础上B位掺杂Fe_2O_3 ,NiCO_3