铜沉淀相关论文
系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气......
研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.......
金属核心构件在特殊工作环境下会由于辐射损伤(Radiation Damage)而形成辐射诱导缺隙(Radiation Induced Defects),像金属材料晶体......
通过Gleeble热模拟试验,研究了一种低碳铜沉淀纳米相强化铁素体钢焊接热影响区组织及性能,测试了试验钢粗晶区焊接CCT曲线。结果表......
砷是一种剧毒物质，美国疾病控制中心(CDC)和国际癌症研究机构(LARC)已经将砷确定为第一类致癌物质。本文采用硫酸铜沉淀含砷废水制......
本文主要研究了安庆矽卡岩型铁铜矿床地质特征及成矿流体特征,认为岩浆热液流体在整个成矿过程中起着主导作用,矿床中铁成矿作用主......
用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族......
近年来，为了节约资源和能源、保护环境，世界发达国家逐渐着眼于开发高性能的新一代钢铁材料。超低碳、超纯净钢冶炼和微合金化等冶金......
鉴于过渡族金属铜和铁的玷污对硅基材料和器件的影响,研究直拉单晶硅中铜沉淀和铁沉淀的行为,不仅在理论上对“缺陷工程”的丰富和......
分子动力学(MD)计算模拟是研究复杂的微观系统的有力工具,使用Osetsky模型[1]和Malerba势能[2]进行模拟可以得到更为准确的数据.国......
1简介低合金高强度(HSLA)钢,如海洋结构用钢HSLA-100,要求强度、韧性与焊接性等综合性能.为达到这些性能,需在低碳钢中添加几种合......
分子动力学（MD）计算模拟是研究复杂的微观系统的有力工具，使用Osetsky模型[1]和Malerba势能[2]进行模拟可以得到更为准确的数据。国内......
<正> 发明详细说明: 本发明是关于火电厂、化工厂等的锅炉、过热器、换热器的蒸发面及换热面上以铁、铜为主要成分垢的清洗方法。......
在硅片和器件制造过程中,作为过渡族金属之一的铜（Cu）有可能会沾污硅片。由于在硅中具有快扩散速率及固溶度随温度急剧下降等特性,Cu......
晶体硅不仅是微电子工业的基础材料，也是光伏工业的基础材料，其体内的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。其中，过渡族金属就......
利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性,并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行......
<正> 二、印制线路板用化学品 1.印制线路板基材约87％的印制线路板(PCB_S)是在基材上压敷铜箔而制成的。该基材由纸、玻璃纤维板或......
冶金法制备多晶硅是太阳能电池领域具有发展前景的制备工艺,在硅片和器件制造过程中,作为过渡族金属之一的铜(Cu)元素可能会沾污硅......
