本工作采用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术制备了外延ZnO薄膜,结合X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见透射光谱、霍尔测量等多种手段,对薄膜的结构特征、表面形貌、光学及其电学特性进行了分析和表征。在此基础上,制备了自然掺杂n型和p型ZnO薄膜,并对自然掺杂及N掺杂ZnO薄膜的生长规律及光学、电学特性进行了研究,得到了如下主要结果：利用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术能够实现ZnO薄膜的单筹异质外延生长,退火使薄膜的应力得到释放并有孪晶结构形成,薄膜的光学吸收边发生红移。通过调整工作气压改变反应粒子的等离子体激活状态,可使自然掺杂ZnO薄膜导电类型发生n-p型转变,提高气压,产生的较高浓度氧活性粒子使薄膜表现为p型导电,薄膜的光学带隙增大。在较低工作气压下因高的活性粒子载能有利于ZnO薄膜的外延生长,薄膜表现为较高的应力和较小的光学带隙宽度,在低气压下氧气分压的增加主要导致到达衬底的氧分子浓度增加,薄膜载流子浓度和光学带隙均呈现出先增加后减小趋势。通过螺旋波等离子体激活,氮的掺入使ZnO薄膜晶格常数增加,光学带隙增大,低气压下氮作为受主杂质掺入到薄膜,使载流子浓度减小,较高气压下,氮主要以施主形式掺入到薄膜,使载流子浓度增加。