【摘 要】
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随着在远距离通信和网络应用中对光导纤维应用的日趋广泛,人们对能工作在低损耗、低色散区（1.30～1.55μm）且具有高速、高效率的光电探测器的研究更加重视.SiGe合金具有的窄禁带
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随着在远距离通信和网络应用中对光导纤维应用的日趋广泛,人们对能工作在低损耗、低色散区（1.30～1.55μm）且具有高速、高效率的光电探测器的研究更加重视.SiGe合金具有的窄禁带和与Si工艺兼容的特点,是这个波长范畴内光电探测器的有力竞争者.纯Ge由于具有禁带宽度为0.8eV的直接带隙,对1.30～1.55μm波长的光有很好的吸收系数,更是最有力的竞争者.我们提出了一种新的器件结构,Ge/Si的吸心倍增分离雪崩光电二极管（SAM-APD）,在Si衬底上外延一层Ge膜（或SiGe膜）,Ge膜用作吸收层,雪崩区在Si内,克服Ge雪崩光电二极管（APD）中因Ge电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的较大噪声的弱点,提高探测器的灵敏度.我们相信在基于MBE技术生长的Ge/Si或SiGe/Si材料基础上,是能够获得工作在1.30～1.55μm区域的具有高速和高灵敏度的APD.为此,我们和中科院物理所合作,用MBE的方法在Si上外延Ge膜,利用DCXRD、TEM、Hall测量等手段对材料特性进行了分析,得到的Ge/Si材料基本符合我们提出的器件要求：
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