近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长InAs量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织InAs量子点。结合低生长速率(0．001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为0．5dots/μm2的低密度InAs量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度InAs量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm以上。 2)研究了低密度量子点生长期间InAs的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的InAs量子点。具有GaAs盖层的低密度InAs量子点其光致发光谱可以达到1332．4nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至1μm以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为150μeV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了77K温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。