在关于多晶陶瓷力学性能与显微结构关系的研究中,平均晶粒尺寸往往被作为一个关键的显微结构参数得到学者们的普遍重视；在功能陶瓷材料领域,平均晶粒尺寸也经常被用作研究晶界效应对各项性能参数影响规律的一个重要参数。然而必须指出的是,在同一个多晶陶瓷样品中不同晶粒的尺寸差别很大,大小晶粒之间的尺寸差别往往在一个甚至几个数量级以上。在所有相关的研究报道中,晶粒尺寸却都仅仅是采用了一个平均值,而忽略了材料中实际存在的晶粒尺寸的统计分布效应。此外,迄今为止关于多晶陶瓷烧结过程的研究一般都是以观察晶粒平均尺寸的变化为基础进行的,关于烧结过程中晶粒形状变化的研究报道极为罕见。另一方面,从大量文献报道的烧结致密的多晶陶瓷晶粒形貌照片看,理想的正六边形晶粒也十分少见。因此,探求一个新的显微结构参数研究陶瓷材料结构与性能关系,建立一种表征晶粒形状的技术并将其应用于陶瓷烧结研究具有很强的理论意义和实用价值。本文对BaTiO3系PTCR材料、立方ZrO2和无铅陶瓷三个系统分别在不同的烧结温度下保温不同时间条件下的晶粒生长过程和表面晶粒形貌进行了观察。从统计学角度证实,对于给定的材料,在同一烧结制度下,其表面晶粒的周长(P)与面积(A)的平方根之比P/A0.5值较晶粒尺寸离散性小,能够更加准确、可靠地描述晶粒形貌。确认烧结致密的单相多晶陶瓷材料表面上的晶粒具有一个基本恒定的P/A0.5值。其次,在以上观测的基础上,将晶粒的P/A0.5值作为晶粒形状的一个表征参数。通过分析P/A0.5值的变化过程所得到的晶粒形状的变化过程,初步考察这一参数研究材料的烧结行为尤其是晶粒生长过程所发挥的作用。最后,测量了立方ZrO2陶瓷的晶界电导活化能Egb。结果发现：晶粒P/A0.5和Egb两个参数表现出相反的变化趋势。这两个参数之间存在的对应关系似乎说明晶粒形状参数的变化可以反映出导致材料晶界电性能变化的显微结构特征。在研究晶界效应方面,P/0.5值的变化规律可望揭示材料显微结构对材料性能的影响规律。