DDR存储器作为处理器的片外主存储器,是一种高性能、低成本的存储解决方案。DDR存储器被大量应用于PC,服务器和如今的SOC设计中。它被用来存放数据和程序,因此俗称“内存”。随着处理器技术的不断进步,存储器技术也随之不断发展。目前,业界主流已从DDR2向DDR3过渡,这是因为DDR3比DDR2不但具有更低的功耗,也具有更高的速度和容量。但是在使用DDR3内存时,设计者面临的一个主要的挑战是对高速I/O的需求。这是因为当接口速度高于1Gbps时,I/O性能变得非常关键,或将成为整个系统性能的瓶颈。因此设计高速的DDR3I/O电路已变成非常迫切的应用需求。当设计者设计DDR3 I/O时将会发现,随着接口速度的提高,数字信号将表现出越来越多的非理想性,而信号完整性也将成为设计者最主要关注之一。DDR3 I/O是一种数模混合高速专用I/O,在设计时,接口设计者面临的主要挑战包括,他不但需要先进的深亚微米工艺提供的高速MOS开关,也需要选择合适的电路架构以实现高性能,还需要在电路设计之初就充分考虑反射和噪声等信号完整性问题,并建立合适的寄生参数模型进行仿真和优化,同时还要保证紧凑的版图设计和可靠的ESD性能。本文基于实际工程需要,设计并实现了一种DDR3 I/O,它基于中芯国际65mm低漏电工艺技术全定制开发,在1.5V工作电压下可达到800Mbps～1600Mbps数据率。它完全符合JEDEC DDR3规范,可作为专用接口IP模块,应用于DDR3内存控制器物理层中。