【摘 要】
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GaAs类半导体光致发射极化电子源是七十年代末在国际上出现的一种新型极化电子源.它采用GaAs类半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂(通常用氧气)镀到光
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GaAs类半导体光致发射极化电子源是七十年代末在国际上出现的一种新型极化电子源.它采用GaAs类半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂(通常用氧气)镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative Electron Affinity)表面;然后通过用波长合适的圆偏激光照射光阴极的途径,来获得自旋极化的电子束.与其他极化电子源相比,这种源具有极化度高,流强大,能散度低,以及可以迅速方便地改变极化方向而不影响束流其他性质等优点.
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