新材料技术的不断进步，加快了新型工业化的发展步伐。晶体材料作为一种高新技术材料，广泛应用于光学、电学、计算机、通讯等多个高科技领域，是光电设备、半导体芯片、光缆等设备仪器研制生产的物质基础及核心原材料，是当今信息社会发展的动力源泉。随着人们对晶体材料需求的不断提高，作为目前晶体材料研究和应用的关键性技术—晶体生长技术有了进一步的发展，极大地加快了相关产业技术变革的步伐。　　随着全球经济化的飞速发展，在世界复杂多变的市场竞争环境下，很多国家、地区以及企业都开始利用知识产权来保护自己的科技成果，从而巩固自身在市场竞争中的优势地位。专利作为是一种集技术、法律、经济信息于一体的复合型的信息资源，对于科技创新主体来说，是一种不容忽视的首选的竞争情报源。通过专利分析可以挖掘出大量的情报，有利于分析行业现状、发展趋势以及该领域技术的竞争环境，从而为相关技术主体的的决策制定提供必要的参考依据。因此，专利分析被广泛的应用到了不同领域的研究当中。　　正是基于这种考虑，为了更清楚地了解晶体生长技术领域的发展情况，本文将专利分析方法引入到了晶体生长技术专利的分析研究当中。通过专利地图的绘制与解读这种直观的表达方式，将晶体生长技术的发展脉搏展示出来，揭示出现阶段晶体生长技术的发展重点，找出并把握专利申请数量占据优势的申请人以及专利发明人的研发现状、技术动态，通过对比不同区域间技术专利的申请情况，帮助相关创新主体准确的定位自身所处位置以及在晶体生长技术中的不足之处，从而为其未来的发展对策提供一定的参考依据。通过本文的分析结果发现，晶体生长技术正处于快速发展时期，我国在晶体生长领域成绩显著，但是与其他国家的专利申请情况相对比，可以发现我国晶体生长领域的不足之处，产业化水平低较低，国际竞争优势不明显。因此，本文在最后针对国家、企业两个不同的层面提出了我国晶体生长领域的发展对策。