高性能微光像增强器是各类先进微光夜视设备的核心器件,其灵敏度、分辨力、信噪比等关键问题,直接制约着微光夜视设备的有效作用距离和图像质量,是长期以来人们不懈努力使之更新换代的主要技术标志。研究本课题的目的正是完善GaAs光阴极微光像增强技术分辨力的理论模型,分析相关影响因素,探讨达到高分辨力特性的技术途径,工艺原理和试验验证方法,为四代微光器件的研制提供理论指导和技术支撑。首先,本文对分辨力、电子散射、电子光学计算等的理论知识进行了总结与分析。采用单孔扩展计算模式使像增强器计算系统为旋转对称结构,采用有限差分法计算像增强器中的静电场电位分布,采用追迹法计算等位线分布,采用龙格库塔法计算电子轨迹。并将电子散射的情况和MCP扩口模型融入到像管的计算系统中。在理论指导下,采用Matlab软件进行程序编制和计算仿真。通过计算的数据结果和图形来分析如何提高像增强器的分辨力。通过以上的研究工作,本文提出了散射电子扩大弥散圆斑的见解,提出了电子散射降低了像增强器光电阴极灵敏度这个结论。通过Matlab仿真计算的数据和图形的对比和分析,给出达到较高分辨力的技术参数和工艺。