本论文主要围绕大功率半导体激光器的质量与可靠性检测来开展,重点研究了较低偏置电流下器件1/f噪声的相关性。为避免实验样品的损伤,本文采用无损检测法对器件进行测量,通过获取的特征参数、实测曲线等样本数据间接判断器件质量好坏及可靠性优劣。本文先后采用“相关性-偏置电流”判别法、电导数检测判别法两种无损检测技术进行实验。本文自行搭建了基于9812D与CF-9200相结合的1/f噪声测量系统,在低于1/30阈值电流的范围内,测量了高功率976nm In Ga As量子阱半导体激光器的低频电噪声,该系统通过获取的时域数据和功率谱特性检测出该噪声为较纯1/f噪声。结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,提出用“相关性-偏置电流”分析模型取代传统的“噪声幅度-偏置电流”分析模型判断1/f噪声源。为比较两个分析模型的优劣势,人为地往纯1/f噪声中加入高斯白噪声作对比实验,观测加噪前后1/f噪声小波系数的方差特性、小波系数相关性与噪声幅度随电流的变化趋势。经多次测量,实验结果表明本文提出的“小波系数相关性-偏置电流”模型更不易受到白噪声干扰或受白噪声影响很微小,也即对于白噪声的干扰更具抵制力,因此该分析模型更具优势。本文又结合电导数检测技术,自行设计了基于S3C2410的半导体激光器光电检测系统,实际测量样品的端电压和光功率,计算出电导数绘制相关曲线,通过提取电导数相关参数并观察初始峰形态大致判断器件是否有损伤。为提高人机交互的使用体验,设计了GUI界面进行实测数据及曲线的实时显示,实验证明该判别方法更直观。综上,本文提出的电导数检测判别法能大致判断出器件是否受损,“相关性-偏置电流”判别法能准确反映器件的具体受损部位,因此将这两种方法相互结合,可以为判断半导体激光器质量与可靠性提供更多的参考依据与新思路。