对电力电子装置更高功率密度的不断追求,迫切需要电力电子装置的开关频率不断提高。以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体器件提升了以硅材料为主的第二代半导体材料的极限。对碳化硅器件的研究正处于起步发展阶段,目前有关SiC MOSFET的应用研究主要集中在建模和特性测试上,实际应用的研究还不是很多。基于此背景,本文研究实际应用SiC MOSFET时,寄生振荡、损耗计算以及桥式电路中的串扰效应等内容。针对寄生参数对SiC MOSFET开关过程振荡效果的影响。在电路层面分别对SiC MOSFET开通和关断过程的各个阶段进行分析,从而推导出开关过程中电流振荡的峰值以及频率公式,并据此给出应用SiC MOSFET的建议。在LTspice仿真平台中搭建了双脉冲测试电路,验证了上述公式涉及到的参数对寄生振荡效果的影响。最后,根据上述给出的建议,设计了双脉冲测试电路,证明在合理应用的情况下能够较好地控制SiC MOSFET开关过程中的振荡效果。针对SiC MOSFET开关损耗的计算,分析发现根本问题是探究SiC MOSFET的输出电容对SiC MOSFET开关损耗的影响。鉴于此,从理论层面分别分析开通和关断过程中器件内部电流的流向情况,发现SiC MOSFET的输出电容在开关过程中重复进行存储和释放电荷的作用,并不消耗电荷,因此不产生损耗。在LTspice仿真平台中搭建了动态损耗测试电路,证明了SiC MOSFET的输出电容对SiC MOSFET开关损耗并不产生影响。针对桥臂电路中SiC MOSFET高频动作引起的串扰效应问题,详细分析了移相全桥变换器中SiC MOSFET的工作条件和开关情况,分别对超前臂和滞后臂上串扰效应的解析表达式进行了推导,得出了超前臂串扰效应非常轻微、滞后臂只存在正向串扰电压的结论。在此基础上,采用了一种有源米勒箝位电路对桥臂串扰效应进行有效抑制,完成了SiC MOSFET驱动电路的设计。在理论分析和仿真验证的基础上,搭建了800V/100A的双脉冲测试电路,并制作了一台输出6k W/300V、开关频率50k Hz的实验样机,对上述研究内容分别进行了实验验证。实验结果表明了采用所提方法可以在目标功率条件下正常工作,验证了理论分析的正确性。