随着信息技术在民用和军用领域的迅速发展,电磁干扰与污染已经成为世界各国亟待解决的关键问题之一,因此科研人员致力于找寻“薄、轻、宽、强”的电磁波吸收材料。在众多微波吸收材料中,二维材料由于其感应电子能够沿二维分子网络转移,在交变电磁场下形成耗散电流,对电磁波有很好的响应。二硒化钼（MoSe2）因其特殊的二维分子结构和优异的本征电导率引起了科研人员的兴趣。因此本文研究二硒化钼的微波吸收性能,探究其微波吸收机制,并将MoSe2分别与FeSe2和Fe2O3复合,增强介电损耗,引入磁损耗,改善其阻抗匹配特性,进一步提高其微波吸收性能。本文采用水热法合成了超薄MoSe2,探究了水热温度与时间对合成材料的形貌与微波吸收性能的影响。测试结果表明超薄MoSe2拥有卷曲的片层结构,增加了电磁波在材料中的传输路径,因而增强了微波损耗。此外,由于1T相的存在,超薄MoSe2的电导率增大,导致材料在交变电磁场中载流子引起的电流增大,从而有利于电磁能转化成为热能。200℃、20 h合成的MoSe2在13.36GHz处,匹配厚度为2.29 mm时,反射损耗为-52.1 d B。为了进一步提高材料的微波吸收性能,采用一步水热法,在原料中引入铁源,合成了MoSe2-FeSe2复合材料,提高了材料的介电损耗。通过XRD、SEM、Raman、TEM、BET等测试分析研究了形貌、相态等对材料微波吸收性能的影响。MoSe2-FeSe2复合材料保留了材料的片层结构,同时MoSe2-FeSe2之间界面的存在,也增强了介电损耗。测试结果表明Mo:Fe=1:1时合成的材料微波吸收性能最佳,在13.92 GHz处,匹配厚度为1.71 mm时,材料的反射损耗为-52.26d B,相比于复合前的MoSe2其匹配厚度明显降低,更有实际应用价值。为了探究磁损耗对于材料性能的影响,首先通过水热合成Fe2O3,继而通过两步水热法合成了MoSe2-Fe2O3复合材料。Fe2O3的引入在增强材料界面损耗的同时,又引入磁损耗,提高阻抗匹配条件,使得微波吸收性能增强。当MoSe2:Fe2O3=4:1时,在12.72 GHz处,匹配厚度为1.63 mm时,材料的反射损耗为-56.14 d B,甚至在匹配厚度更低的1.2 mm时,在16.96 GHz处,反射损耗达到-52.14 d B,其有效吸收宽度达到了4 GHz。Fe2O3的引入使得材料在保持超薄片层结构的同时,增强了自然共振与涡流损耗对于微波吸收的贡献。