本论文研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶化合物的中高温氧化行为及机理。利用原位X射线衍射技术分析了氧化物的结构，借助扫描电镜观察了氧化物的形貌，利用称重法获得氧化动力学曲线，并进行了必要的理论分析。 编制了X射线衍射数据分析软件，主要涉及到谱线数据处理、峰形处理和峰形计算等。 在Mo3Si-Mo5Si3共晶化合物的中温500℃及600℃氧化过程中，由于Si原子扩散系数很低，不足以维持足够Si供给以生成完整的氧化膜，引起Mo3Si和Mo5Si3同时氧化，氧化动力学曲线呈现直线氧化规律。 共晶化合物Mo3Si-Mo5Si3氧化机制，为疏松氧化层内部O2/Mo3Si-Mo5Si3混合界面反应，氧化曲线斜率满足 。 外界氧原子通过孔洞和裂缝扩散到基体内部，在基体内部的孔洞和裂缝处优先生成混合氧化物。氧化物的体积效应产生较大内应力，引起裂纹扩展并导致Pest现象。