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相比于传统LCD,OLED显示技术凭借其能耗低、视角宽、对比度高、低成本等优点在近几年迅速占领市场,并在电子设备迅速发展的今天被广泛认可,被认为是最有可能继承和替代液晶产品的存在,对OLEDs的研究不仅在其效率和发光色比度上,同时也需要对其内部的电学现象进行深度的探索和优化。交流阻抗谱技术因其对体系干扰小、测试频率范围广、测试成本低、测试时间短等优点正在被广泛地应用在多个领域。本论文主要通过运用交流阻抗谱技术来研究分析有机半导体器件的内部电学特性:我们通过将F4-TCNQ作为空穴缓冲层制备有机电致发光器件以及单空穴载流子器件,对比得出增加F4-TCNQ空穴缓冲层可以增加空穴载流子的注入、提高有机电致发光器件的性能。为了验证空穴缓冲层对ITO阳极的修饰作用,我们利用交流阻抗谱对制备的器件进行测试,并选取了合适的等效电路结合阻抗数据对测试结果进行拟合,肯定了F4-TCNQ空穴修饰层对阳极空穴注入势垒的修饰优化作用。为了进一步研究利用交流阻抗谱研究有机半导体器件的内部电学性质,我们以F4-TCNQ作为客体掺杂到m-MTDATA中制备成电学掺杂的单载流子器件,器件的电流密度是随着掺杂浓度的增加而增加的。之后我们在描绘奈奎斯特阻抗曲线时发现,电学掺杂情况的阻抗曲线呈现出来的是和简单修饰结构不一样的结构,结合基础物理学的知识和等效拟合数据确定了是由于掺杂产生的耗尽层所导致的在阻抗曲线中的不同,也确定了电学掺杂对器件性能的优化和提升。最后,我们对比了不同材料做修饰层的器件的性能差异,通过等效电路的拟合数据所做的曲线计算下降斜率,我们发现随着偏压增加不同材料制备的单载流子器件的电导性的差距不断增加,这反应不同材料降低的注入势垒不同导致同等情况下更多的注入载流子会导致更低的弛豫时间,进而影响阻抗值的变化,另外还发现不同修饰层的材料会对有机层发生扩散现象,并且扩散的程度和增加空穴注入的能力成正比。我们利用交流阻抗谱技术结合有机半导体的知识分析有机半导体器件的电学性能,通过等效电路拟合分析阻抗数据,可以对器件内部发生的变化有着更直观的理解,从一定意义上这对我们以后利用阻抗谱研究有机半导体电学性能以及选择合适的等效电路有指导作用。