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氮化镓的激光分离技术和稀释磁性半导体是当今氮化镓材料和器件研究领域中两个方兴未艾的课题，前者是获得大面积自支撑GaN的关键技术，而后者则是一个符合现代信息技术发展要求的新兴课题，它的出现使得及信息输运和存储于一身的集成电路技术成为可能.通过激光剥离技术成功分离了GaN膜及其蓝宝石衬底.位于界面处的GaN吸收了波长248nm的激光辐射，导致其热分解，产生Ga和N<,2>气.再将样品加热到Ga的熔点（29℃）以上，即可很方便地除去蓝宝石衬底.对于激光分离前后的GaN样品，进行了原子力显微镜（AFM）和X射线衍射实验（XRD）的测量，证实了剥离过程并未改变GaN膜的质量.并进一步讨论了激光剥离的阈值能量密度和避免GaN膜破裂的几种方法.