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Nd∶AeF2激光晶体材料的应用并不被人们看好，原因就在于钕离子很容易在AeF2中形成团簇，团簇以Nd3+-Nd3+对的形式存在，Nd3+-Nd3+对之间强烈的非相干偶极-偶极相互作用导致严重的1.06μm荧光猝灭。为了避免荧光猝灭效应，共掺缓冲Y3+离子来提高材料的荧光强度，以期望达到应用的目的。为了研究共掺Y3+之后体系中发光中心的变化，本文借助低温吸收谱、发射谱、寿命随温度的依赖关系，以及介电、EXAFS谱等技术，系统研究了Nd3+，Y3+∶SrF2和Nd3+，Y3+∶CaF2晶体材料中存在的发光中心。 按照发光中心的近似分类方式，在1％Nd3+∶SrF2材料中主要是M中心，此外还有L,N和L中心，而M和N中心都是荧光猝灭的。共掺Y3+之后，一些中心消失了，出现了一些新的发光中心。在0.5％Nd3+，5％Y3+∶SrF2和0.5％Nd3+，10％Y3+∶SrF2晶体中主要是非猝灭的M中心(Nd3+-Y3+m)-Fi-n，m≥1，n≥m+1;Fi-离子可以处在第一配位层，第二配位层，第三配位层，甚至是更远的壳层，它随Y3+/Nd3+比变化。因此，本文得到了共掺Y3+之后材料中发光中心的变化特征，并且最合理的Nd3+/Y3+比是10。在0.5％Nd3+，10％Y3+∶SrF2晶体中实现了连续激光输出，斜效率为29.33％，其性能比0.5％Nd3+∶SrF2优异。 在1％Nd3+∶CaF2晶体中，最强吸收线在790nm处，它被归于M中心的吸收;在1％Nd3+，5％Y3+∶CaF2晶体中，797nm吸收线被认为是L中心的贡献。在1％Nd3+，5％Y3+∶CaF2的发射谱中，1049.3nm和1068.7nm的荧光线归功于M中心;1054.6nm处的发光是L中心引起的。为了更直观的观察共掺Y3+之后引起局域结构的变化，本文测试了EXAFS谱，谱图显示共掺之后第一配位层配位数从9.2增加到10.7，局域晶格膨胀。EXAFS谱更详细的显示了发光中心结构的变化，比近似分类方式显示的结果更复杂，更符合实际情况。需要指出的是，两种表示方法结合起来使用可以更有效、全面的了解材料中存在的发光中心以及发光中心的局域结构。