【摘 要】
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计算机的普及让当今社会处于信息化时代,而信息化时代的特点在于信息以爆炸式速度产生,每天都会有大量的信息产生,如何存储这些高密度信息是大量研究人员一直关注的重点。典型的存储设备已经在存储领域长达数十年之久,虽然其已经能够满足普通的存储需求,但对于高密度存储需求的今日,新材料才能够挑战信息存储面临的物理和理论上的限制。其中MXene作为一种热点材料在学术界和工业界都取得了较大的关注,在电学、热学和储能
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计算机的普及让当今社会处于信息化时代,而信息化时代的特点在于信息以爆炸式速度产生,每天都会有大量的信息产生,如何存储这些高密度信息是大量研究人员一直关注的重点。典型的存储设备已经在存储领域长达数十年之久,虽然其已经能够满足普通的存储需求,但对于高密度存储需求的今日,新材料才能够挑战信息存储面临的物理和理论上的限制。其中MXene作为一种热点材料在学术界和工业界都取得了较大的关注,在电学、热学和储能方面的器件应用上表现出较为优异的性能。将MXene与低维材料堆叠应用于存储器是对MXene材料用于非易失性存储器的另一探索,扩展了MXene的应用领域。本文的两个工作内容具体如下:（1）第一个工作的内容重点在于探索MoSe2（2D）/MXene作为存储介质的非易失性阻变存储器件的制备和工作机制。通过将MAX刻蚀后获得的MXene纳米片和常压化学气相沉积制备的MoSe2（2D）纳米片材料进行堆叠操作,成功制备出基于MoSe2（2D）/MXene存储介质的存储器。在不改变合成MoSe2材料工艺的情况下,将MXene溶液浓度梯度依次改变后进行实验数据记录。基于Ag/MoSe2（2D）/MXene/ITO非易失性阻变存储器件的实验数据,发现非易失性阻变存储器具有较低的阈值转换电压（≤1 V）,存储区间可达到10~2,仅对一个状态进行保持时间测试在测试1.2×10~4秒后仍未有明显衰减趋势,在读写100次后存储器性能才有一定的衰减。在本次实验的最后我们还发现器件对于光照具有较强的响应,同时对产生这种的现象原因进行了阐述。（2）工作二主要是在第一个实验探索的基础上,将MXene保留,MoSe2（2D）更换成了零维材料Cs Pb Br3（QD）量子点,同时合成第二种基于Cs Pb Br3（QD）/MXene存储介质的器件。基于Ag/Cs Pb Br3（QD）/MXene/ITO非易失性阻变存储器的实验记录结果,我们分析相较于第一个实验的二维MoSe2材料,Cs Pb Br3量子点的结构比MoSe2纳米片的结构更好的弥补了第一个器件中的MXene和MoSe2两种材料堆叠之间的空隙。CsPbBr3量子点的存在使得器件稳定性性能有了提升的同时,依旧可以保证其存储窗口为10~2。
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