碳化硅(SiC)性能出色，是新一代半导体材料，在大功率和高温微电子器件中得到了应用。在MEMS领域，SiC的MEMS压力传感器由于比传统的硅(Si)压力传感器具有更出色的机械、电学、化学等特性，它能够在300℃以上的高温环境中稳定工作，从而受到重视。　　 本文针对恶劣工作环境下压力传感器的测量精度受到极大影响的问题，设计了一个温度控制系统并且对补偿技术进行研究。设计加工了一个隔热腔体，通过温度控制系统使其内部温度维持在80℃左右，误差在±5℃内。　　 论文的主要贡献如下：1）通过软件方法提高传感器的测量精度，分析了零点漂移问题。2）分析了压力传感器的非线性问题，着重研究了灵敏度漂移问题，研究并推导了多项式拟合算法。设计了用于温度控制的腔体。3）利用单片机实现了上述算法，通过软件补偿提高传感器的测量精度，克服其在宽温度范围内难以补偿的问题。设计并实现了一个温度控制系统，仿真与测试结果验证了设计的可行性。本文为SiC压力传感器的进一步研究奠定了基础。