持续性θ波短阵快速脉冲经颅磁刺激对脑膜淋巴通路的作用及其机制研究

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研究背景和目的脑膜淋巴管(Meningeal lymphatic vessels,m LVs)位于大脑的硬脑膜,能够引流来自脑脊液的物质分子到达颈部淋巴结,并与脑脊液-组织间液(Cerebrospinal fluid-interstitial fluid,CSF-ISF)循环有着直接联系。随着m LVs的发现,其在大脑内物质代谢清除的作用受到广泛关注。在淋巴结构受损的情况下,常常会给大脑毒性分子、免疫细胞的引流带来不利影响,从而加重脑代谢紊乱或脑损伤。改善淋巴功能,可能成为某些神经系统功能紊乱相关的疾病治疗的新方向。持续性θ波短阵快速脉冲经颅磁刺激(Continuous theta burst stimulation,CTBS)是重复经颅磁刺激中的一种新型刺激模式,经常被用于大脑神经调控以及常见的神经系统疾病的治疗。有研究表明,CTBS能促进CSF-ISF的代谢废物的清除。脑膜淋巴通路障碍已被证实影响某些中枢神经系统疾病的发展过程,如阿尔茨海默症(Alzheimer’s disease,AD)、脑卒中、脑出血等。m LVs在功能上与CSF-ISF紧密联系,而CTBS这种刺激模式对脑膜淋巴通路是否有调节作用仍不明确。因此,我们观察CTBS对脑膜淋巴管的即时效应,同时观察外源性β淀粉样蛋白(Amyloid-β,Aβ)进入脑脊液后的运动轨迹,并进一步地在AD小鼠疾病模型上观察长期干预的CTBS对脑膜淋巴的作用以及大脑中Aβ清除的影响。方法1、自然条件下对健康雄性C57小鼠进行真假CTBS刺激,免疫荧光染色观察脑膜淋巴管直径变化,分析脑膜上血管内皮生长因子C(Vascular endothelial growth factor C,VEGF-C)的表达量以及小脑延髓池注射荧光物质一定时间内在淋巴管的引流情况。同时,在药物抑制血管内皮生长因子受体(Vascular endothelial growth factor receptor,VEGFR)的条件下观察CTBS对脑膜淋巴管直径的影响。2、对健康雄性C57小鼠经小脑延髓池注射荧光标记的Aβ,观察其进入脑脊液30、60、90分钟经脑膜淋巴管的运动规律。3、对APP-PS1小鼠执行连续两周的CTBS,免疫荧光染色观察脑膜淋巴管覆盖面积及出芽情况和脑膜及脑实质Aβ沉积量。结果1、CTBS后可见淋巴管扩张和VEGF-C升高并且进出脑膜淋巴的荧光物质引流加快,VEGFR被抑制后CTBS所致的淋巴管扩张效应减弱。2、外源性Aβ在脑膜上临近淋巴管聚集,不会直接进入淋巴管。在进入脑脊液后的0-90分钟内,近上矢状窦的累积逐渐升高,而临近横窦的累积呈现先升高而后下降的趋势。3、在AD小鼠,CTBS后可见脑膜淋巴管面积扩大且出芽增多,脑膜和脑实质的Aβ沉积减少。结论1、CTBS通过上调VEGF-C的表达可扩张脑膜淋巴管和促进淋巴引流。2、膜淋巴管间接参与Aβ代谢,进入脑脊液的Aβ先向近横窦的位置富集后而转向上矢状窦。3、长期干预的CTBS促进脑膜淋巴管新生和Aβ在脑中清除。
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