近年来,以二层覆铜板为基材的挠性印制电路板,具有薄、轻、结构灵活的鲜明特点,被广泛应用于折叠手机、数码相机、笔记本电脑等。二层覆铜板的制备方法有多种,有涂布法、层压法、溅射/电镀法。采用溅射/电镀法制备的Cu薄膜,具有良好的表面平滑性和弯曲特性,膜层结构致密且均匀,容易制作双面板等优点。但目前的二层覆铜板存在剥离强度和导电性不够理想的弱点,如何提高覆铜板的剥离强度和导电性,是目前急需解决的问题。本文采用卷绕直流磁控溅射法,在聚酰亚胺膜表面制备了Cu薄膜,用XRD、SEM、AFM等仪器研究了溅射功率、Ar⁺轰击和过渡层等制备工艺对薄膜的接触角、晶面择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、剥离强度等性能的影响。研究表明:（1）随着溅射功率的增加,Cu薄膜<111>晶面表现出明显的择优取向生长,Cu膜平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,剥离强度增大,但功率超过7500W后,剥离强度反而降低。（2）随着Ar⁺轰击时间的延长,接触角减小。在轰击时间为3分钟时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长轰击时间反而会导致接触角增大。随着Ar⁺轰击时间的延长,Cu膜平均晶粒尺寸增加,电阻率降低,剥离强度增大,但轰击时间超过3分钟后,剥离强度反而降低。（3）过渡层可减少界面物理性能的突变,缓和应力集中,减小薄膜与基底因晶格失配、热膨胀系数差异而造成的内应力。相对于未镀过渡层的Cu薄膜,施加CuO过渡层后的Cu薄膜的剥离强度增加1.46倍,施加TiO₂过渡层的Cu薄膜的剥离强度增加5.22倍。