硅氧氮化物荧光材料的Si-N结构—光谱性质及半导体发光二极管

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高光效的蓝紫光InGaN基LED的荧光粉转换模式是目前实现白光LED的主流技术,在其所需的荧光材料中,含有Si-N结构的硅氧氮化物荧光粉以其特有的高稳定性成为当前的研究热点。本论文以Si-N键结构作为主线,重点研究了离子共掺杂和部分氮化调制方法对硅氧氮化物和硅氧化物荧光材料发光性能及组分的影响,获得的主要成果如下: A.在含Si-N结构的SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉中共掺Mn2+,可以提高其发光强度,改善其光色特性。共掺Mn2+后,SrSi2O2N2:Eu2+的发光强度提高了355%,其光色特性也得到优化。关于Mn2+的能量传递方式有三种:Mn2+自身吸收的能量;基质对Mn2+的能量传递;Eu2+对Mn2+的能量传递。另外,我们在SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉中还尝试共掺了Mg2+或Al3+。共掺Mg2+后,SrSi2O2N2:Eu2+的发光强度提高了28%;共掺Al3+后,SrSi2O2N2:Eu2+的发光强度提高了42%。B.将Si-N结构引入Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+,并以Li+作为电荷补偿剂,诱发绿光相Ba2SiO4出现。随着N-Li浓度的变化,红蓝光相Ba3MgSi2O8和绿光相Ba2SiO4的比例发生规律性改变。当N-Li浓度达到优化值时,样品Ba3MgSi2O8-xNxLix:Eu2+,Mn2+中Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+的红、蓝光与Ba2SiO4:Eu2+的绿光比例得到优化,用紫外芯片激发该样品就可以获得直接白光。C.将Si-N结构引入Sr2MgSi2O7:Eu2+,随着N浓度的增大,其发光强度逐渐增大,发光强度最大提高了69%;随着氮含量的增加,该蓝粉的色纯度逐渐提高。D.探索制备具有Si-N结构的荧光粉基质相Sr2Si5N8,并对样品进行XRD检测及分析,由分析结果可知样品中存在SrSi2O2N2、Sr2Si5N8等物相,其中主相是SrSi2O2N2。我们认为要获得Sr2Si5N8主相的关键因素有两个:还原性气体的气氛压力;恰当的升温速率。E.采用我们制备的硅氧氮化物荧光粉封装了白光LED。SrSi2O2N2:Mn2+,Eu2+荧光粉封装的LED比未掺杂Mn2+的SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉封装的LED具有更均匀的光谱功率分布,更高的显色指数和更低的色温;黄绿粉SrSi2O2N2:Mn2+,Eu2+和红粉Sr2Si5N8:Eu2+混合封装的LED具有优良的光色性能,其色坐标位于白光区域,显色指数达到93.3%,色温为3584K。
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