多孔SiOCH薄膜的O等离子体表面处理研究

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【摘要】

：

随着超大规模集成电路(ULSI)的尺寸不断缩小,微电子器件的集成度不断提高,器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容(RC)耦合增大,从而使信号传输延时、干扰噪声增强和功率耗散增大。要解决这些问题,就要采用新的低电阻率连线材料和低介电常数绝缘材料来取代目前所采用的Al/SiO2材料架构。作为SiO2的替代材料,多孔的SiCOH低介电常数材料(low-k)和超低介电常数材料(ultral

【作者】

：

钱晓梅

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

低介电常数多孔SiOCH薄膜 O2等离子体表面处理介电性能

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