WLED(White Light Emitting Diode)作为新一代照明光源,已广泛应用于生活之中。当前,WLED的主流实现方案是蓝光LED芯片加YAG:Ce3+黄色荧光粉,由于该方案存在显色指数偏低,色温偏高等缺陷,已不能满足人们对高品质照明的需求。而近紫外芯片加不同颜色荧光粉方案可以克服上述缺陷实现高品质照明。然而目前为止,可以完全匹配近紫外激发的荧光粉还没有。因此,本论文的目的在于发现能够满足近紫外激发的新型WLED用荧光粉。论文的研究内容及结果有以下几点:(1)发现了Sr4Al14O25:Eu2+是一种可用于近紫外激发白光LED用青色荧光粉。通过对Sr4Al14O25:Eu2+的发光性能的研究,发现该荧光粉的激发光谱与近紫外(360-410 nm)芯片匹配可用于近紫外激发白光LED。同时也研究了不同Eu2+浓度(0.02%-1%)对Sr4Al14O25:Eu2+热稳定性的影响,发现随着浓度增加其热稳定性逐渐增强,这与通常荧光粉浓度与热稳定性的关系相反。我们认为这一反常现象可能是两个Eu2+发光中心之间的能量传递与温度和浓度正相关引起的。此外,还发现了Al N和Si N的掺杂可以分别增强Sr4Al14O25:Eu2+的发光强度和初始余辉强度。(2)发现了四种新型紫外/近紫外激发且无可见区吸收Bi3+掺杂钨/镓酸盐荧光粉。首先,合成了三种新型Bi3+掺杂钨酸盐荧光粉,它们分别为:Li Y(WO4)2:Bi3+,Ca3WO6:Bi3+和La6W2O15:Bi3+。结果表明,它们的最佳激发峰分别位于334 nm,336nm和347nm,激发光谱可分别延伸至390 nm,400 nm和410 nm,且在可见光(VIS)区域均无激发,因此可以避免传统荧光粉的可见光重吸收问题。它们的发射光谱是发射峰分别位于556 nm,576 nm和627 nm的宽带发射,发射光谱从400 nm延伸至800 nm覆盖整个可见光区域,半高宽(FWHM)分别为170 nm,160 nm和200 nm适合照明。研究发现它们的荧光寿命分别为600 ns,370 ns和1500 ns,均属于Bi3+的特征寿命,因此它们的发光很可能来自Bi3+中3P1→1S0的跃迁。此外,我们还合成了一种Bi3+掺杂的镓酸盐荧光粉:La3Sn Ga5O14:Bi3+。研究发现,该荧光粉只有一个激发带且激发峰位于290 nm。然而发射光谱却存在两个发射峰分别位于356 nm和540 nm的发射带,其中位于可见区域的宽带发射带被认为是与Bi3+相关的异常发光。通过对不同Bi3+掺杂浓度的发射光谱,低温光谱,寿命以及结合MMCT模型计算分析,我们认为其中的可见宽带发光很可能来自Bi3+内部的3P0→1S0的跃迁,而紫外发射带则来自Bi3+的3P1→1S0的跃迁。这对Bi3+掺杂的固体发光材料的深入理解以及Bi3+掺杂荧光粉的研发有帮助。以上表明,本论文所发现的Bi3+掺杂钨/镓酸盐荧光粉在紫外/近紫外激发WLED中具有潜在应用。图46幅,表3个,参考文献182篇。