脉冲直流PCVD设备的工艺探索

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等离子体增强化学气相沉积(PCVD)作为表面改性技术,能有效提高工模具的使用寿命.其设备从八十年代以来,不断改进,从直流冷壁炉到现在的脉冲热壁炉,反应室容积也在 不断地扩大.有关沉积工艺对薄膜组织性和反应室容积的角度讨论其对膜层性能尤其是膜基结合力的影响还未见报道,有关机理更是不清楚.此外虽然以前用直流电源在小设备上,较好的解决了离氮化与PCVD TiN复合处理的"黑色层"的问题,但在脉冲电源大设备上,如何考虑并设法避免黑色层亦未见明确结论.该文针对上述问题,通过比较脉冲大反应室与直流小反应室工艺参数的特点,研究脉冲电源及反应室容积对膜基性能的影响,并对脉冲电源、大反应室的离子氮化-PCVDTiN复合处理的黑色层形成和机制进行探讨.
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