PCVD相关论文
Pure and fluorine-doped silica glass were fabricated by plasma chemical vapour deposition (PCVD) and characterized using......
在光纤生产的核心工序——预制棒沉积过程中,PCVD技术属于管内沉积工艺.本文介绍了PCVD工艺技术以及PCVD技术生产的光纤指标.......
本文从光纤设计角度出发,提出了降低光纤弯曲敏感性的措施.结合目前低水峰光纤广泛使用的现状,利用PCVD的独特优势,制备了具有低的......
本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积( Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量......
本文用PCVD方法在Si、Ge、玻璃等基片上制备出品质较好的类金刚石薄膜,用Raman光谱和红外吸收谱等研究了制备膜的结构,并且研究了......
编号：0501312等离子体增强化学气相沉积(PCVD)技术是在一定温度和气压的真空炉内通人工作气体，产生辉光放电，激活沉积反应，从而在基材......
Silicon nitride nanoparticles were synthesized by radio-frequency (RF) plasma chemical vapor deposition (PCVD) using sil......
用直流等离子体化学气相沉积法沉积TiC、TiN、Ti(CN)以及钛的复合涂层。对在高速钢和硅基体上所得的各种钛化合物膜做了晶体结构分......
用直流PCVD(等离子化学气相沉积)法沉积TiC、TiC/TiN双层复合膜和弥散型Ti(CN)涂层。试验表明在反应温度为550～600℃下得到的这些涂......
本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射......
利用PCVD方法，对在AlN基板上合成金刚石薄膜进行实验研究，并就提高金刚石薄膜热导率及增强其与基底的粘附力等问题进行分析和讨论。
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利用热传导理论，结合ＬＰＨＶＤ（激光等离子体混合气相沉积）工艺，从激光功率密度、光斑尺寸、预制棒平动速度和转动速度等方面分析光纤ＰＣＶＤ法中激光熔......
机械电子工业部技术发展基金委员会审查同意,由沈阳真空技术研究所聘请国内有关专家, 1989年10月25日于沈阳,对其所承担的等离子体......
利用 L PCVD Si O2 和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术 ,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与 IC工艺兼容技术问题 ,获得了......
作者用4Cr5MoVlSi及3Cr2W8V两种热模具钢试样进行了等离子体增强化学气相沉积(PCVD)TiN的工艺试验,探讨了PCVD TiN工艺参数对膜基......
采用高精度PLINT高温微动磨损试验机研究了690合金及其表面等离子体化学气相沉积(PCVD)制备TiN/TiSiN多层膜的高温微动磨损特性。......
化学气相沉积(CVD)是制备固体薄膜,生产复合材料的重要方法之一。但由于沉积温度较高,使应用范围受到很大限制。因此,对降低CVD的......
To prepare the G.656 optical fiber for the future’s network, the methods of material design and waveguide design were a......
本文介绍了用磨损深度的测量方法测TiN涂层的磨粒磨损性能,该涂层用PCVD法获得。一、实验方法薄的耐磨涂层(......
一、引言等离子体化学气相沉积(PCVD)在集成电路元件,光导纤维,太阳能电池等领域中已得到广泛应用。近年来,用PCVD 或加热丝的化......
采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬......
一、引言众所周知,工业上因摩擦与磨损所造成的损耗十分惊人。据美国能源部统计,美国每年仅该项能量损耗就等于纽约市一年的能量......
TiO_2 thin film was prepared on Si substrate by plasma chemical vapor deposition(PCVD) system and the morphologies of Ti......
养猪业向规模化、产业化发展,但受养殖技术、调运、管理等因素的影响,猪疫病感染率逐年升高,疫病也越来越复杂。母猪繁殖障碍类疾......
采用正交试验法对ＰＣＶＤ等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在４０％ＳｉｎＨ２ｎ＋２＋６０％Ａｒ（质量分数）渗硅源中，电工钢于４８０℃ＰＣＶＤ处理４０ｍｉｎ，其表面可形成厚２０μｍ富硅层。再......
用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备掺杂和本征的a-Si:H薄膜,用固相晶化法制备多晶硅薄膜。通过X射线衍射分析多晶硅的晶粒大小与a-......
射频等离子体反应器适用于气相法快速合成高纯纳米微晶.针对小流量TiCl4氧化合成TiO2纳米微晶反应体系,在Matlab软件中采用有限差......
用铁氰化钾贴纸法研究了PCVD(Plasma CVD)TiN膜中针孔率与沉积温度、样品表面粗糙度和膜厚度的关系。发现TiN膜薄时,针孔率高,针孔......
实验对TiN沉积膜和基体复层膜采用了透射电镜衍射及x射线衍射分析方法,确立了TiN晶体与基体各相的位向关系。即TiN在初始形核时,在......
硅的氮化物薄膜用DC-PCVD装置沉积,这种装置在沉积过程中仅用直流电源。涂覆用的基体材料是单晶硅、2Cr13不锈钢等。用扫描电镜研......
在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大......
设计了一种射频电极作为基板支架的射频等离子体化学气相沉积系统.其温度可达700℃,负偏压是可调的.并以沉积的TiN膜的取向为例说......
本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向、反应气体、碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响......
将 Ar(95%)-SiH_4(2.5%)-D_2(2.5%)混合气体在等离子体直流正辉区用化学气相沉淀(PCVD))方法制备 a-Si:D/H 薄膜.采用双探针技术测......
ＣＮｘ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法（ＰＣＶＤ），制备出了含氮量为２１ａｔ％的ＣＮｘ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪......
探讨了ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ膜器壁副产物的成分及形成机制，并提出了解决办法。同时对脉冲、直流ＰＣＶＤ沉积ＴｉＮ膜中的氯含量、膜的生长、晶粒大小及膜结构进......
国内采用脉冲电源进行PCVD沉积TiN膜，尚未见报道。本文主要介绍脉冲PCVD沉积TiN膜的若干特点，并与直流PCVD作了比较。试验表明脉冲PC......
用等离子体化学气相沉积（PCVD）法制备：a－Si：N薄膜材料（衬底温度20O℃～350℃），用固相晶化法（SPC）获得多晶硅薄膜（退火温度500℃～650℃）,用X射线衍......
报告了等离子化学气相沉积（PCVD）硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针（EMPA）、扫描电镜（SEM）、X射线（XRD）和X光电子谱（XPS）分析。实......
对不同成分的PCVD－Ti（CXN1－X）膜的组织结构及性能进行了研究。结果表明，Ti（CN）膜的高硬度、高致密组织和膜表面因吸附氧而形成的与TiN不同......
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中si含量的影响。DW620-50电工钢经PCVD处理后磁性能得以......
