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该论文中,我们利用光致发光谱（Photoluminescence）光调制反射谱（Photorflectance）和光生伏特谱（Photovoltage）等测量手段对GaInNAs/GaAs和GaAsSb/GaAs量子阱结构以及体外延层样品的光学性质进行了比较系统的对比性研究.该论文主要工作包括下面几个方面：（1）GaInNAs的光致发光峰的能量位置通常具有一个反常的"S-型"温度依赖关系,而不是一般半导体合金发光峰所遵循的Varshni关系.（2）我们对比同样条件下生长的GaInNAs和GaInAs外延层样品的变温PL谱,证实了GaInAs中对发光有明显影响的杂质束缚态与N等电子杂质及其团簇有关.（3）我们对GaAsSb/GaAs/GaAsP耦合以量子阱能态分布和光学性质进行研究,发现耦合双量子阱结构同时具有第Ⅰ类和第Ⅱ类量子阱的部分性质.