InAs/Ga（In）Sb超晶格具有第二类型能带排列方式，它的能带结构可以通过改变InAs层和GaSb层的厚度或者设计合适的势垒层得到调整，从而使得这个材料体系的禁带宽度有着很大的调整余地，理论上可以通过调整它的禁带宽度使得探测器的探测截止波长在2-30μm之间。本文对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件进行了理论和实验研究。利用包络函数近似的8带k·p理论建模，应用有限元法对InAs/GaSb超晶格红外探测的的能带结构进行了计算，得出了超晶格能带在不同组分厚度，周期数以及InAs与GaSb厚度比时的值，并分析能带随着上述因素的变化趋势。超晶格周期在20-30个周期之间时，探测器的探测截止波长随周期数的增加而增加，30-70周期之间，看不到探测截止波长的增加。随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长总趋势是增加的，但是这种增加呈现周期性震荡，在一个小周期内，随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长反而有少量的减少。随着超晶格中的InAs层的增加，探测器的探测截止波长变长。用掩模、光刻、腐蚀、蒸镀、压焊以及分装等标准半导体加工工艺制作了PIN红外探测器件，探索了器件制作工艺参数，着重研究了不同腐蚀液体系对材料体系的腐蚀效果和腐蚀速率。酒石酸体系的腐蚀液中，HF浓度增加，腐蚀液对超晶格的腐蚀速率也急剧的增加，但是当400mL的腐蚀液中HF的含量超过0.4mL时，HF的浓度增加不能再增加腐蚀液的腐蚀速度，可见HF只是起到催化剂的作用，并不作为反应物质影响反应过程。H₂O₂浓度对腐蚀速率的影响是正向的，随着H₂O₂浓度的增加腐蚀速率呈线性增加。但是，H₂O₂浓度太高会氧化光刻胶，这样就会影响腐蚀出的台面图形，不利于后续器件制作的过程。通过对比发现选用4mL的H₂O₂浓度图形最佳。酒石酸+盐酸体系在室温下对InAs的腐蚀速率为56nm/Min，对GaSb的腐蚀速率为340nm/Min，对7ML/7ML超晶格腐蚀速率为96nm/Min，对14ML/7ML的超晶格材料的腐蚀速率为74nm/Min。通过对器件I-V特性测试分析得出，在外置电压V<-0.5V时，器件处于负向饱和状态，在这个阶段，主要是由于扩散到过渡区的少子在pn结的结区电场作用下穿过过渡区，形成扩散电流。此时的反向抽取电流就是反向饱和电流，大小为-J₀=-2.3nA。当反偏电压-0.5V<V_bia<0V时，电流随着电压呈指数形式增长，一般情况下，这里的电流为产生暗电流，此时，热产生电流起到暗电流的主导作用。当外加电压0V<V_bia<Va时，正向电压增加了耗尽层中的载流子浓度，所以此时耗尽层中，电子和空穴复合的机会增加。通过复合使载流子浓度重新达到热平衡，这些额外由于正向电流带来的载流子无法越过势垒，而通过产生—复合中心相互复合而消失。通过对器件的暗电流谱和黑体辐射下光电响应实验结果分析得出，在λ=3.6μm时，35K的测试温度下所辐射到器件光敏面能量全部吸收时，所制作的两个器件的探测率D*分别为3.0×10¹⁴ cmHz^1/2W和1.5×10¹⁴ cmHz^1/2W。通过对器件的C-V特性曲线的分析得出两器件的开启电压分别为0.1V和0.5V。