基于CMOS工艺的EBPSK调制电路设计

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在频谱资源贵如黄金的今天,提高频谱利用率成为通信技术发展新的突破口,超窄带通信就是一种可极大提高频谱利用率的新技术。随着超窄带通信技术的理论研究越来越深入,其实用化技术也逐渐提上议事日程。本文采用TSMC0.18 μm CMOS工艺,设计载波频率在200 MHz-2.4 GHz范围的EBPSK调制芯片,要求在三种特殊的调制模式(反相调制模式、MCM调制模式和窄脉冲调制模式)中可自由选择,并且在50 Ω负载上输出调制信号的幅度大于300 mV。系统总体结构分为三大模块:单转双电路、开关调制电路和输出放大缓冲电路。由于载波信号频带范围宽,输入信号幅度大,特采用了带源极负反馈的单转双电路;为保证后续开关电路的开和关的准确性,增加了补偿电容来降低输出两路信号的相位不匹配。对于开关调制电路模块,本文采用的是双平衡MOS开关调制电路,可有效抑制输入端、开关控制端到输出端的泄漏,使得输出波形更加纯净。为使输出调制信号不失真输出,本次设计在输出缓冲中采用了并联峰化技术以提高输出电路带宽,采用三级共源放大电路,使输出信号在50Ω负载上的幅度远大于300 mV。本次设计的芯片经过了在片测试和键合测试的验证,测试结果显示,在200 MHz-2.4 GHz频带范围内,电路能够实现正确的调制功能,各频率下信号幅度均大于300 mV。在片测试芯片总功耗为30 mA×1.8 V(包括输出缓冲在内),芯片面积为510μm × 740 μm。
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