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用分子束外延方法生长了InAs/AISb HEMT结构，并运用霍尔测量、X射线衍射，原子力显微镜等测量手段对材料进行了物理性质的研究。主要研究内容和结果如下：
1.在GaAs(100)衬底上大失配外延生长了AlSb、GaSb、InAs等6.1A半导体家族材料。通过反射高能电子衍射原位观察、X射线衍射分析和表面形貌分析，优化了AlSb、GaSb、InAs大失配外延生长在GaAs衬底上的成核温度、生长温度、III/V束流比等生长条件。
2.研究了AlSb和GaSb作为缓冲层对InAs/AlSb量子阱迁移特性的影响。实验结果表明：用GaSb作为缓冲层的InAs/AlSb量子阱电子迁移率比用AlSb作缓冲层的更高。通过原子力显微镜和X射线衍射的测量证明了造成这一差异的主要原因是：150A InAs生长在AlSb缓冲层上已有明显驰豫，将导致InAs中产生失配位错以及InAs量子阱的界面质量变差。而生长在GaSb缓冲层上的InAs在200 A厚时仍处于完全应力状态。
3.运用掠入射X射线反射技术研究了采用不同界面生长程序的InAs/AlSb超晶格的界面粗糙度。结果显示InSb型界面比AlAs型界面平整得多，在InSb型界面中，As保护下生长中断20秒能得到最平整的界面。讨论了掠入射X射线反射技术在界面分析中的应用。
4.研究了不同阱宽、Si掺杂等因素对InAs/AlSb量子阱输运特性的影响；计算了InAs/AlSb量子阱的能级结构，并讨论了其在减小InAs/AlSb HEMT碰撞离化效应中的指导作用；讨论了InAs/AlSb HEMT器件制作的几个关键步骤。