40纳米3G手机基带芯片的物理实现

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近年来,移动通信系统的发展给移动终端的设计带来了越来越大的挑战。而移动终端的性能和成本主要体现在芯片特别是基带芯片上。随着移动通信系统从2G、2.5G发展到现在的3G时代,其基带芯片的设计也发生了相应的变化。本文研究了3G手机基带芯片在40纳米芯片设计技术下的实现方式。主要讨论了由于引入低功耗设计流程中的供电描述文件UPF,而产生的设计流程和设计方式上的变化。在本设计中,本人深入研究了现代低功耗设计的相关技术以及标准;参照UPF1.0标准,研究了使用UPF文件来描述低功耗设计意图、指标和参数的方法;研究了如何在传统逻辑综合过程中引入UPF文件来插入电压控制逻辑,实现低功耗设计意图;分析研究了网表文件中出现的多供电电压设计问题,依据多供电电压设计规则的要求,进行规则上的分析、检查和修正,以实现低功耗设计意图;分析研究了多电压/多电源技术中供电网络上出现的问题,提出了有效的解决方案以降低芯片的静态电压降。分析研究了在使用低功耗设计方法后,传统静态时序分析的不足,由此引入UPF以提高时序分析的准确性。同时,研究了新的静态时序分析流程来加快时序收敛进度。通过本论文的研究工作,分析了40纳米芯片设计技术下容易出现的逻辑综合、功耗和时序上的问题,及时提出了解决方案,保证了芯片功能和设计的正确性。设计结果表明,在注意了上述问题之后,减少了设计循环次数,提高了芯片的可靠性。该3G手机基带芯片已经于2010年成功流片生产,使用该芯片的3G智能手机也已经成功上市。
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