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SiGe工艺具有优异的射频性能和较高的性价比,近年来被广泛应用于移动通信、卫星定位和雷达追踪等市场。SiGe工艺还可以与常规的数字和模拟电路相集成,制造出功能完整的SoC芯片。目前采用SiGe工艺制作RF IC已成为国际上的研究热点。现代无线通信业务的迅速发展要求越来越大的通信系统容量。为了实现更高的数据速率和频谱效率,现代通信系统普遍采用线性调制技术,然而线性调制会使系统对电路的非线性因素非常敏感,所以,必须采取适当的线性化技术来提高电路的线性度,使得系统在线性调制时能够正常工作,线性放大器的研究也因此成为了研究的热点。低噪声放大器(LNA)作为无线接收机的第一级,不仅要在引入尽可能少噪声的情况下放大微弱信号,还必须在接收强信号时也能实现线性地放大信号,特别是在存在强干扰信号的情况下接收一个弱信号时,LNA必须保持线性工作,因此高线性LNA的研究有着重要的现实意义。本论文正是基于先进的SiGe工艺,对高线性LNA进行了研究与设计。本文在参考大量相关文献的基础上,对各种提高LNA线性度的线性化方法进行了深入分析和研究,详细比较了各种方法的优缺点和适用情况,在此基础上对有源偏置技术进行了改进,并对其线性化原理进行了公式推导。在公式推导的过程中,引入了高等数学中无穷小的概念,对公式进行了泰勒级数展开,而不是采用传统方法的直接省略无穷小项,使得推导更具说服力,得出的结论和线性化思想对高线性LNA的设计有一定的指导意义。完成了LNA电路结构原理图的前仿真、芯片的版图设计、版图中各种参数的提取以及版图的后仿真和优化。SiGe高线性LNA的版图面积为0.05mm2。后仿真表明,在1.28-1.4GHz的工作频带范围内,LNA的输入输出匹配S11优于?13.33dB、S22优于?8.93dB,功率增益S21大于20.78dB,带内增益波动为?0.37dB,噪声系数NF低于1.32dB,线性度IP1dB为?11.52dBm,3.3V电源电压下的电流为10mA。各项性能参数均达到了设计目标。