三元V-VI-VII化合物锑硫碘（SbSI）是一种集压电、热释电、铁电、光电等多种性质于一体的特殊材料,其物理性质决定了在多个领域具有广阔的应用前景。本论文主要以SbSI微米棒为研究对象,通过改进水热法提高SbSI微米棒的柔韧性,并制作了柔性光探测器进行光电性能方面的研究。具体内容如下:1.通过改进水热法,以硫粉代替硫脲作为反应硫源制备了SbSI微米棒。研究发现,合成的产物具有良好的质量,长度可达7毫米,其带隙约为1.87 eV。在聚酰亚胺（PI）柔性衬底上首次制作了单根SbSI微米棒柔性光探测器。光电测试结果表明,该柔性器件在550-700nm波长范围内具有优异的光响应。在5 V偏压635 nm波长处的响应度高达13.74 mA/W,具有快速的响应速度（上升时间和下降时间分别为73 ms和146 ms）,更低的噪声等效功率(2.91×10^-1313 W/Hz^1/2)以及更高的比探测率（5.43×10¹00 Jones）,相比与以往报道的SbSI光探测器高了一个数量级。而且该柔性器件的光电性能可与刚性（SiO₂/Si衬底）器件相媲美。特别地,我们水热合成的SbSI微米棒具有非常优异的柔韧性、机械稳定性和耐折性。在不同弯曲角度下和2000次弯折后,其光电性能和响应特性几乎不变。结果显示出SbSI微米棒在高性能、低成本可见光探测和柔性器件领域有着广阔的应用前景。2.以上研究中发现,通过改变SbSI反应原材料的摩尔比可以生成Sb₂S₃材料,因此对Sb₂S₃进行了单独的制备。研究发现,水热合成的样品呈棒状结构,其直径在数十微米,长度可达5毫米,相关的表征结果证明了产物具有斜方相结构。在SiO₂/Si衬底上制作了单根Sb₂S₃微米棒光探测器并进行了光电测试。结果表明该器件具有宽广的光谱响应范围,在300-800 nm波长范围内有明显的的光响应,尤其在600-800 nm波长范围内光响应优异。在5 V偏压730 nm波长处,响应度为75 mA/W,上升时间和下降时间分别为110 ms和810 ms,优于已报道的Sb₂S₃纳米阵列光探测器。3.通过使用光刻技术,在SiO₂/Si衬底上制做了线宽仅为10微米的CdSe纳米带光探测器。该器件具有优异的稳定性;高的开关比（563）;快速的响应时间（小于68 ms）;更高的比探测率(1.74×10¹²Jones);较高的响应度（1.39 A/W）。上述的初步结果可以为后续制备微纳米尺度SbSI结构刚性/柔性器件奠定实验基础。